Преснов Денис Евгеньевич

Преснов Денис Евгеньевич - дата рождения 27/09/73. Закончил(а) Физический факультет МГУ, 1996г.. Получена специальность: физика. Работает в НИИЯФ МГУ. На данный момент перебывает на должности м.н.с.. Рабочий адрес: 119899, Москва, Воробьевы г., МГУ, физ.фак.лаб.криоэлектроники. Телефон: 939 3988, 3987.

Научная работа: Экспериментальное исследование зарядовых флуктуаций в одноэлектронных структурах. -изготовление и исследование прототипа простейшей одноэлектронной ячейки памяти, представляющей собой систему из 20 туннельных переходов, размером менее 80x80 нм2. Показало, что в ней возможно хранение одного электрона не менее 8 часов. -разработка и реализация новой "стековой" технологии изготовления одноэлектронных устройств, решающей проблему подавления в них влияния флуктуаций фонового заряда подложек. Cоздан одноэлектронный транзистор с рекордно низким уровнем шума - 8·10-6 e/Гц^1/2 на частоте 10 Гц, что более чем на порядок превосходит достигнутый мировой уровень. -разработка технологии изготовления одноэлектронных транзисторов рекордно малых размеров (15x15 нм2). Продемонстрирована работа таких устройств при температурах выше 13 К.

Список публикаций: 1. Факторы нестабильности Одноэлектронной памяти при низких температурах в структурах типа Al/AlOx/Al, ЖЭТФ, 1997, том 111, вып. 1, стр. 1-14.
2. Investigation of the offset charge noise in single electron tunneling devices., IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement 46, 303 (1997)
3. Noise in Al single electron transistors of stacked design., J. Appl. Phys. Vol. 84, N.6, p3212 (Sep. 1998).
4. Aluminum single electron transistors with islands isolated from a substrate., Journal of Low Temp. Phys. Vol. 118, Nos5/6, 2000, pp287-296.
5. A very low noise single electron electrometer of stacked-junctiongeometry., Physica B. Vol. 284-8, 2000, pp 1800-1801.