Титков Илья Евгеньевич

Титков Илья Евгеньевич - дата рождения 04/08/73. Закончил(а) Санкт-Петербургского Государственного Технического Университета, магистр технических наук по специальности "Физика полупроводников и диэлектриков".. Получена специальность: физика полупроводников и диэлектриков. Работает в Санкт-Петербургский Государственный Технический Университет, каф. На данный момент перебывает на должности ведущий инженер. Рабочий адрес: 195251 С-Петербург, ул. Политехническая - 29, кор.2, к. 212. Телефон: (812)552-96-71.

Научная работа: Закончил очную аспирантуру на своей кафедре, тема диссертации - “Неразрушающая диагностика электронных свойств структур на основе SiC и GaAs/AlGaAs ”. Область научных интересов: оптические явления в полупроводниковых наноструктурах, бесконтактные методы контроля КРС и кристаллов SiC. Победитель конкурса "Соросовские аспиранты" 1998 года, трех городских конкурсов для молодых ученых 1997 - 2000 годов. Выигрывал 3 персональных гранта (РФФИ и INTAS-YSF and YSC). Являюсь соисполнителем по грантам РФФИ и INTAS. Провожу со студентами нашей лаборатории научно-исследовательскую работу и оказываю им необходимую помощь в подготовке дипломных проектов.

Список публикаций: 1. Л.Е.Воробьев, И.Е.Титков, А.А.Торопов, В.Н.Тулупенко, Д.А.Фирсов, В.А.Шалыгин, Т.В.Шубина, E.Towe. Поглощение и преломление света при межподзонных переходах горячих электронов в связанных квантовых ямах GaAs/AlGaAs. Физика и техника полупроводников, 1998, т.32, №7, стр.84-88. 216.
2. L.E.Vorobjev, V.L.Zerova, I.E.Titkov, D.A.Firsov, V.A.Shalygin, V.N.Tulupenko, E.Towe Electrooptical Phenomena in Tunnel-Coupled Quantum Wells in Longitudinal Electric Field. Proceedings of 10th International Symposium on Ultrafast Phenomena in Semiconductors, Material Science Forum Vols. 297-298 (1999) pp. 33-36, Trans Tech Publications, Switzerland.
3. L.E.Vorobjev, V.L.Zerova, I.E.Titkov, D.A.Firsov, V.A.Shalygin V.N.Tulupenko, E.Towe Birefringence and absorption of infrared radiation in tunnel-coupled GaAs/AlGaAs quantum wells in a longitudinal electric field. Superlattices and Microstructures, 1999, v.25,
4. V.Ya.Aleshkin, A.B.Antonov, A.A.Andronov, E.V.Demidov, A.A.Dubinov, V.I.Gavrilenko, D.G.Revin, B.N.Zvonkov, N.B.Zvonkov, E.V.Uskova, L.E.Vorobjev, D.A.Firsov, S.N.Danilov, I.E.Titkov, V.A.Shalygin, A.E.Zhukov, A.R.Kovsh, V.M.Ustinov. Toward far and mid IR intraband lasers based on hot carrier intervalley/real space transfer in multiple quantum well systems. Proc. of SPIE 2000 (accpted).
5. 1. A.V.Shturbin, I.E.Titkov, V.Yu.Panevin, R.F.Witman. High frequency method to determine SiC crystal conductivity. Materials Science in Semiconductor Processing 2000,Vol 4/1-3, 205-207

Дополнительная информация: Чтобы составить личное впечатление обо мне можно заити на страничку http://www.geocities.com/SoHo/Cafe/8250, где расположен мой личный и совсем ненаучный фотоальбом.