Васильев Дмитрий Геннадьевич

Васильев Дмитрий Геннадьевич - дата рождения 26/12/76. Закончил(а) СПб Гос. Тех. Ун-т, Физико-технический фак-т, каф. физики твердого тела.. Получена специальность: Физика полупроводников. Работает в ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, С-Петребург.. На данный момент перебывает на должности стажер. Рабочий адрес: С-Петербург, ул. Политехническая, д.26. Телефон: 5313414.

Научная работа: Полупроводниковые квантовые точки в системах III-V и II-VI, получаемые методом Странского- Крастанова. За последнее время исследованы спектры ФЛ, пропускания, оптическая ориентация в зависимости от разориентации подложки структур, температуры, м.поля и др.

Список публикаций: 1) D. G. Vasil'ev, V. P. Evtikhiev, V. E. Tokranov, I. V. Kudryashov, and V. P. Kochereshko, " Effect of substrate misorientation on quantum-dot size distribution in the InAs/GaAs system", Physics of the solid state, 40,vol. 5, p.787

2) G. V. Astakhov, V. P. Kochereshko, D. G. Vasil'ev, V. P. Evtikhiev, V. E. Tokranov, I. V. Kudryashov, and G. V. Mikhalov, " Photoluminescence of InAs quantum dots grown on disoriented GaAs substrates", Semiconductors, vol. 33, issue 9 pp. 988-990