Жуков Андрей Викторович

Жуков Андрей Викторович - дата рождения 08.06.74. Закончил(а) УлГУ. Получена специальность: преподаватель. Работает в УлГУ. На данный момент перебывает на должности с.н.с.. Рабочий адрес: Ульяновск, ул. Л.Толстого, 42. Телефон: 412086.

Научная работа: Электронно-колебательные переходы с глубоких центров в новых полупроводниковых и диэлектрических материалах.(на основе комплекса новых теоретических разработок и экспериментальных методик исследованы механизмы, определяющие вероятности оптических и безизлучательных электронно-колебательных переходов с глубоких уровней со сложной электронной структурой в перспективных упорядоченных и неупорядоченных полупроводниковых и диэлектрических соединениях. На основе нового, (разработанного в коллективе) подхода, свободного от ограничений стандартной однокоординатной модели конфигурационных координат, получены выражения для вероятности оптических и безизлучательных переходов с вырожденных электронных состояний дефекта в полупроводниках в разрешенные зоны. Проведены измерения спектров люминесценции, поглощения, фотоионизации примесей в полупроводниках и диэлектриках (кристаллы со структурой граната и другие ионные диэлектрики, содержащие примеси с конфигурацией электронной оболочки 3d3; арсенид галлия, содержащий примесные комплексы VGaSAs (с серой), VGaSnGa (с оловом) и ловушку EL2; соединения типа А2В6). Разработаны новые методы и алгоритмы, позволяющие определять параметры электронно-колебательного взаимодействия, сопровождающего ионизацию глубоких центров, и вероятности внутрицентровых оптических и безызлучательных переходов между вырожденными электронными состояниями примеси в диэлектриках и полупроводниках в электрическом поле. Полученные результаты используются для моделирования генерационно-рекомбинационных процессов в полупроводниках и диэлектриках в электрических полях.)

Список публикаций: 1. Булярский С.В., Грушко Н.С., Жуков А.В. Расчет полевых зависимостей
скоростей эмиссии носителей с глубоких центров, опирающийся на экспериментальную форм-функцию оптического перехода. //ЖЭТФ, 1999, Т.116, в.3(9),с.1027-1034.
2. Булярский С.В., Грушко Н.С., Жуков А.В. Полевая зависимость скорости термической эмиссии дырок с комплекса V(Ga)S(As) в арсениде галлия. //ФТП, 2000, т.34, в.1, с.41-45.
3. Булярский С.В., Жуков А.В. Расчет вероятности оптических переходов в
сильных электрических полях. // ЖЭТФ, 2000, т.118, в.5(11), с.1092-1098.