Жуков Андрей Викторович

Жуков Андрей Викторович - дата рождения 08.06.74. Закончил(а) Ульяновского госуниверситета, 1996. Получена специальность: инженер. Работает в Ульяновский государственный университет. На данный момент перебывает на должности доцент кафедры Оптики и спектроскопии твердого тела. Рабочий адрес: 432970, Ульяновск, Л.Толстого, 42. Телефон: (8422) 412086.

Научная работа: Вопросы исследования взаимодействия носителей в полупроводниках с колебательным спектром кристалла, и, как следствие, влияния этого процесса на скорости электронных переходов с глубоких примесных центров в полупроводниках, и на кинетические коэффициенты процессов переноса носителей в полупроводниковых приборах; радиационные дефекты в полупроводниках и полупроводниковых соединениях. 1. Разработан новый алгоритм расчета вероятности электронно-колебательных переходов между вырожденными электронными состояниями дефекта в полупроводнике в электрическом поле, опирающийся на экспериментально измеренные оптические спектры. Проведено сравнение разработанного алгоритма расчета вероятностей электронно-колебательных переходов и выражений, описывающих электронно-колебательные переходы, полученных в однокоординатном приближении, с экспериментальными полевыми зависимостями сечений фотоионизации и скоростей эмиссии носителей с глубокого центра комплекса VGaSAs. При этом предпочтение отдано схеме, опирающейся на экспериментальное значение форм-функции и численный расчет, так как при этом не делается никаких допущений о характере электрон-фононного взаимодействия в системе - с одной стороны, а с другой – не требует громоздких расчетов (таких как определение параметров электрон-фононного взаимодействия в однокоординатной модели). 2. Предложен и экспериментально подтвержден, применительно к комплексу VGaSAs в GaAs, алгоритм расчета форм-функции полосы поглощения из спектров сечения фотоионизации. Показано, что в электрических полях уменьшается величина энергии чисто электронного перехода между основным и возбужденным электронными состояниями комплекса VGaSAs, что приводит к уменьшению величины зазора между адиабатическими потенциалами комплекса на конфигурационной диаграмме. 3. Проведено моделирование вольт-амперных характеристик промышленных приборов на основе диодов Шоттки. Результаты анализа обратного тока СВЧ-варикапов на основе контактов Mo-GaAs:Si показали, что наблюдаемые ВАХ определяются стимулированным фононами туннелированием электронов из металла в полупроводник с участием глубокого центра, соответствующего ловушке EL2. Данный механизм определяет обратные ВАХ диодов Шоттки на основе GaAs и, соответственно, входное сопротивление полевых транзисторов и добротность СВЧ варикапов. 4. Развита теория формы R-линии ГГГ:Mn4+, основанная на гамильтониане изотропного спин-спинового взаимодействия ионов Mn4+ с ионами Gd3+. Предложена модель, объясняющая аномальное уширение R-линии и ее большой стоксов сдвиг в спектрах люминесценции по отношению к спектрам возбуждения фотолюминесценции. Кроме того, при известных ширине R-линии и константе обменного взаимодействия теория позволяет оценить величину уширения отдельных подуровней, вызванного неоднородностями кристалла и колебаниями решетки. 5. Теоретически разработан и практически реализован метод определения плотности состояний фононов, участвующих в оптическом переходе, из анализа спектра фотолюминесценции. Показано, что спектр фононных состояний, участвующих в оптическом переходе 2Е→4А2, в ГГГ:Mn4+ может быть аппроксимирован четырьмя стоксовыми компонентами, включающими как четные, так и нечетные моды.

Список публикаций: 1. Булярский С.В., Жуков А.В., Приходько В.В. Проявление перехода 4T2->4A2 в спектрах люминесценции иона Mn4+ в гадолиний галлиевом гранате при больших интенсивностях лазерной накачки, Письма в ЖЭТФ, 2001, т.74, в.11, стр.616-619.
2. Булярский С.В., Жуков А.В., Зюзин А.М., Приходько В.В. Расчет формы R-линии иона Mn4+ в гадолиний-галлиевом гранате, ЖЭТФ, 2002, в.6(12), (принята в печать).
3. Булярский С.В., Грушко Н.С., Жуков А.В. Расчет полевых зависимостей скоростей эмиссии носителей с глубоких центров, опирающийся на экспериментальную форм-функцию оптического перехода, ЖЭТФ, 1999, т.116, в.3(9), с.1027-1034.
4. Булярский С.В., Грушко Н.С., Жуков А.В. Расчет вероятности оптических переходов в сильных электрических полях, ЖЭТФ, 2000, в.11(5), стр. 1092-1098.
6. Булярский С.В., Жуков А.В. Анализ механизмов переноса тока, определяющих характер обратных вольт-амперных характеристик барьеров металл-GaAs, ФТП, 2001, т.35, в.5, 560-565.

Дополнительная информация: 2000 год - звание старшего научного сотрудника. С 2001 года занимаю должность заместителя проректора по научной работе